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    新型電子元器件向著高頻化、片式化、微型化、薄型化、低功耗、響應(yīng)速率快、高分辨率、高精度、高功率、多功能、組件化、復(fù)合化、模塊化和智能化的趨勢(shì)逐步演進(jìn)著。同時(shí)，產(chǎn)品的安全性和綠色化也是影響其發(fā)展前途的重要因素。當(dāng)前隨著傳統(tǒng)元器件科研生產(chǎn)逐步走向成熟，電子元器件正步入由新型材料、新工藝和新技術(shù)帶動(dòng)下的更新升級(jí)和深化發(fā)展的新時(shí)期。概而言之，總共有以下七大趨勢(shì)：
1.呈片式化、小型化技術(shù)發(fā)展
片式化、小型化已經(jīng)成為衡量電子元器件發(fā)展水平的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。其中片式電容、片式電阻和片式電感這三大無(wú)源元件占了全球片式元器件總產(chǎn)量的80%以上。電子元器件片式化的同時(shí)，小型化也在迅速地發(fā)展，不僅傳統(tǒng)元件在迅速的小型化，片式元件也在迅速小型化。當(dāng)前片式阻容元件的主流產(chǎn)品的尺寸是0603型、0402型，正朝著外形尺寸更小的0201型和01005型方向發(fā)展。例如，體積僅為0.0045 cm3的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)和體積為0.325cm32的片式繼電器，以及高度僅為1.55mm的DIP開(kāi)關(guān)等小型化元件都已相繼開(kāi)發(fā)成功。尺寸縮小涉及一系列材料工藝問(wèn)題，是當(dāng)前元件研究的一個(gè)熱點(diǎn)。
2.向集成模塊化發(fā)展
盡管人們一直在片式元件的小型化方面進(jìn)行著一系列努力，但與半導(dǎo)體器件的高度集成化相比，其發(fā)展還是相對(duì)緩慢。近年來(lái)，由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術(shù)的突破才使無(wú)源集成技術(shù)進(jìn)入了實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段，并成為備受關(guān)注的技術(shù)制高點(diǎn)。當(dāng)前，由于LTCC工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，片式集成無(wú)源元件(IPD)已在手機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、藍(lán)牙等領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。
3.輕量化、抗輻射性能滿足宇航級(jí)的新應(yīng)用
隨著太空活動(dòng)的深入發(fā)展，宇航用各類電子系統(tǒng)增長(zhǎng)非常迅速，一方面是空間用電子元件的需求不斷在增加，另一方面對(duì)電子元件提出了更高性能的要求，如小型化、輕量化以及抗輻射性能、加固性能、釋氣效應(yīng)等，特別是在抗輻射加固性能方面的要求已經(jīng)達(dá)到相當(dāng)苛刻的地步。
4.以低能耗、高可靠性來(lái)滿足國(guó)防軍工新需求
便捷式消費(fèi)電子設(shè)備正向小尺寸、輕重量、多功能和數(shù)字化方向發(fā)展，全面帶動(dòng)了電子元器件科技向小型、片式、低厚度、低功耗、高頻和高性能的深入發(fā)展和改進(jìn)。與此同時(shí)，國(guó)防和尖端科技裝備也對(duì)電子元器件提出了低功耗、高可靠等性的新要求。除此之外，未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)復(fù)雜的電磁場(chǎng)和惡劣的自然環(huán)境對(duì)電子元件產(chǎn)品的可靠性要求也越來(lái)越高。
5.多功能化
隨著電子產(chǎn)品功能的增加，對(duì)片式元件功能的要求也越來(lái)越多樣化。盡管從數(shù)量上看，電子元件的片式化率已高達(dá)70%以上，但發(fā)展不均衡。一些元件由于工藝、結(jié)構(gòu)及材料等原因，片式化的難度較大。如具有電感結(jié)構(gòu)的磁珠元件，其功能不在于作為一個(gè)電感器，而是抗電磁干擾，目前片式化的磁珠元件已成為用量最大的一類片式電感類元件。這些新元件的設(shè)計(jì)和材料都是電子元件所面臨的新問(wèn)題。
目前，為了實(shí)現(xiàn)微波陶瓷元件、過(guò)流保護(hù)元件、敏感陶瓷元件、磁性變壓器等元件的片式化，世界各國(guó)都在開(kāi)發(fā)具有低溫?zé)Y(jié)特性的微波陶瓷介質(zhì)和敏感陶瓷材料及相應(yīng)材料的多層共燒技術(shù)。
6.高頻化、寬頻化
目前電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢(shì)非常明顯，如無(wú)線移動(dòng)通信已經(jīng)發(fā)展到2GHz，短距離的無(wú)線數(shù)據(jù)交換系統(tǒng)已達(dá)5.8GHz。此外，高速數(shù)字電路產(chǎn)品也越來(lái)越多，光通信的傳輸速率已從2.5Gbps發(fā)展到10Gbps。這些跨越都對(duì)電子元器件的高頻化和寬頻化提出了更高的要求。除此之外， 降低寄生電感和寄生電容、提高自諧振頻率、降低高頻ESR、提高高頻Q值等等要求，也被不斷地提出來(lái)。
7.無(wú)毒無(wú)害、安全環(huán)保性發(fā)展
在電子元器件的制造過(guò)程中，往往會(huì)使用一些有毒的材料，如清洗劑、溶劑等，以及在部分電子元件成品中，有時(shí)也含有毒物質(zhì)，如汞、鉛、鎘等有毒重金屬?，F(xiàn)在很多國(guó)家已立法禁止使用這些有毒有害物質(zhì)。在這樣的背景下，開(kāi)發(fā)綠色安全環(huán)保的電子元器件直接決定著產(chǎn)品的市場(chǎng)份額及其發(fā)展前景。因此，各電子元件企業(yè)普遍加強(qiáng)對(duì)新材料的研究開(kāi)發(fā)，以期在元件無(wú)鉛化方面謀求新的突破。當(dāng)前，全球主要MLCC和片式電阻廠商已大部分完成向無(wú)鉛生產(chǎn)的轉(zhuǎn)變。
未來(lái)5至10年內(nèi)發(fā)展趨勢(shì)
    從總體水平上看，我國(guó)片式元器件企業(yè)與美國(guó)、日本兩個(gè)元器件生產(chǎn)強(qiáng)國(guó)相比還存在明顯的差距。我們國(guó)家電子元器件生產(chǎn)企業(yè)，所面臨著的普遍問(wèn)題是：核心競(jìng)爭(zhēng)力較差、產(chǎn)品檔次較低，附加值低，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品很少，在很多核心技術(shù)領(lǐng)域依然是受制于人。
今時(shí)今日，電子元器件更新?lián)Q代速度很快，抓住片式化、微型化，高頻化、高速化，集成化，綠色化等的發(fā)展機(jī)遇，投入更多的人力、物力、財(cái)力，加強(qiáng)研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代電子元器件和集成器件，將是我國(guó)由電子元器件生產(chǎn)大國(guó)走向電子元器件強(qiáng)國(guó)的必經(jīng)之路。（來(lái)源：易容 ）